उच्च वोल्टेज सिरेमिक कैपेसिटर में एपॉक्सी परत की गुणवत्ता बढ़ाना

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उच्च वोल्टेज सिरेमिक कैपेसिटर में एपॉक्सी परत की गुणवत्ता बढ़ाना

उच्च वोल्टेज सिरेमिक कैपेसिटर की बाहरी सीलिंग परत, विशेष रूप से एपॉक्सी परत, न केवल एक इनकैप्सुलेटिंग सामग्री के रूप में कार्य करती है, बल्कि कैपेसिटर की समग्र गुणवत्ता और विशेषताओं पर भी महत्वपूर्ण प्रभाव डालती है।
 
सबसे पहले और सबसे महत्वपूर्ण, सिरेमिक चिप्स और एपॉक्सी परत के बीच का बंधन एक महत्वपूर्ण जंक्शन बिंदु है। कमजोर बॉन्डिंग के कारण धारिता कम हो सकती है। इसलिए, इन बॉन्डिंग साइटों का घनत्व सीधे एपॉक्सी परत की अखंडता को प्रभावित करता है, सघन बॉन्डिंग के परिणामस्वरूप कम संख्या में आंशिक निर्वहन होता है।
 
दूसरे, उच्च वोल्टेज या डिस्चार्ज स्थितियों के तहत सिरेमिक कैपेसिटर के संचालन के दौरान, गर्मी-प्रेरित तनाव होता है। यह बार-बार होने वाला थर्मल तनाव मुख्य घटकों के बीच विस्तार और संकुचन बेमेल का कारण बनता है, जिससे राल प्रदूषण होता है। संधारित्र के भीतर गैस अपव्यय क्षमता काफी कम हो जाती है, जबकि एपॉक्सी परत पर तनाव नाटकीय रूप से बढ़ जाता है, जिससे संधारित्र विफलता के प्रति संवेदनशील हो जाता है।
 
इसके अलावा, यह आमतौर पर स्वीकार किया जाता है कि उच्च तापमान पर सिंटरिंग प्रक्रिया के बाद, कैपेसिटर को प्राकृतिक प्रक्रियाओं के माध्यम से थर्मल तनाव को कम करने के लिए पुनर्प्राप्ति अवधि की आवश्यकता होती है। पुनर्प्राप्ति समय जितना लंबा होगा, कैपेसिटर की तनाव झेलने की क्षमता उतनी ही अधिक होगी, जिससे उच्च गुणवत्ता सुनिश्चित होगी। उदाहरण के लिए, नव निर्मित कैपेसिटर की उन कैपेसिटर से तुलना करें जिनकी रिकवरी लगभग दो महीने से हुई है, बाद वाला वोल्टेज के प्रति बहुत अधिक सहनशीलता प्रदर्शित करता है, शुरुआत में 80kV पर परीक्षण करने पर भी 60kV या उससे अधिक का स्तर प्राप्त करता है।
 
इसके अलावा, एपॉक्सी सामग्री का चुनाव विभिन्न तापमानों पर कैपेसिटर के प्रदर्शन को प्रभावित कर सकता है। कुछ उच्च-वोल्टेज सिरेमिक कैपेसिटर कम तापमान पर कम प्रभावशीलता का अनुभव कर सकते हैं। उदाहरण के लिए, यदि -30 डिग्री सेल्सियस से कम तापमान के अधीन किया जाता है, तो इतने कम तापमान पर खराब एपॉक्सी गुणों या सिरेमिक चिप्स के विस्तार और संकुचन के साथ असंगति के कारण दरारें बन सकती हैं। नतीजतन, अत्यधिक ठंड के कारण होने वाला असंगत तनाव मात्रा को उसी सीमा तक कम करने में विफल रहता है, जिससे संरचनात्मक तनाव पैदा होता है।
 
इन कारकों को संबोधित करके और एपॉक्सी परत की गुणवत्ता सुनिश्चित करके, निर्माता उच्च वोल्टेज कैपेसिटर के समग्र प्रदर्शन और विश्वसनीयता में सुधार कर सकते हैं।
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